原裝美國Sinton BLS-I檢測儀

更新時間：2025-09-28

簡要描述：

原裝美國Sinton BLS-I檢測儀CT-400測量系統(tǒng)不需要做表面鈍化就能直接測量單晶和多晶硅（錠或塊）的少子壽命.
是基于渦流傳感器和紅外光致光電導(dǎo)方法直接測量單晶或者多晶硅棒體少子壽命的設(shè)備，具有瞬態(tài)和準(zhǔn)穩(wěn)態(tài)兩種測量模式。該設(shè)備可探測3mm 深度范圍少子壽命，并能輸出不同載流子注入水平下的少子壽命值，可實(shí)現(xiàn)低電阻率硅單晶少子壽命測量，并能通過軟件端光強(qiáng)偏置實(shí)現(xiàn)單晶缺陷密度計算

產(chǎn)品廠地：北京市點(diǎn)擊量：2380

品牌	其他品牌	應(yīng)用領(lǐng)域	醫(yī)療衛(wèi)生,環(huán)保,航空航天

原裝美國Sinton BLS-I檢測儀

CT-400測量系統(tǒng)不需要做表面鈍化就能直接測量單晶和多晶硅（錠或塊）的少子壽命.
是基于渦流傳感器和紅外光致光電導(dǎo)方法直接測量單晶或者多晶硅棒體少子壽命的設(shè)備，具有瞬態(tài)和準(zhǔn)穩(wěn)態(tài)兩種測量模式。該設(shè)備可探測3mm 深度范圍少子壽命，并能輸出不同載流子注入水平下的少子壽命值，可實(shí)現(xiàn)低電阻率硅單晶少子壽命測量，并能通過軟件端光強(qiáng)偏置實(shí)現(xiàn)單晶缺陷密度計算。

BLS-I/BCT-400產(chǎn)品規(guī)格
壽命值測量范圍：100 ns至> 10 ms
電阻率測量范圍：0.5-300 Ohm-cm
測量（分析）模式
環(huán)境工作溫度：20°C-25°C
電源：BLS-I/BCT-400: 40 W
計算機(jī)與顯示器:200w
光源:60w
尺寸（無手柄）
BLS-I: 7.9 cm W x 16.3 cm D x 12.7 cm H
BCT-400: 6.1 cm W x 15.0 cm D x 12.7 cm H
通用電壓：100-240 VAC 50/60 Hz